Name: BSC112N06LDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC112N06LDATMA1TR-ND
Price: 2.3595 EUR
Availability: InStock

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BSC112N06LDATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-BSC112N06LDATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-BSC112N06LDATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-BSC112N06LDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC112N06LDATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	48 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 20 A (Tc) 65W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC112N06LDATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Category Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11,2mOhm bei 17A, 10V
Hersteller Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 28µA
Serie OptiMOS™ T2	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 55nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4020pF bei 30V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 65W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-4
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20 A (Tc)	Basis-Produktnummer BSC112