Name: BSC12DN20NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC12DN20NS3GATMA1TR-ND
Price: 1.9602 EUR
Availability: InStock

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BSC12DN20NS3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC12DN20NS3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC12DN20NS3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC12DN20NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC12DN20NS3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 11,3 A (Tc) 50W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-5
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC12DN20NS3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 25µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8.7 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 680 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-5
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11,3 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer BSC12DN20
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 125mOhm bei 5,7A, 10V