Name: BSC0901NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0901NSIATMA1TR-ND
Price: 1.7182 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 30 V 28 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-6

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BSC0901NSIATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC0901NSIATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC0901NSIATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC0901NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC0901NSIATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 28 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC0901NSIATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20 nC @ 15 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2600 pF @ 15 V
Status der Komponente Nur verfügbar bis	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 69W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 28 A (Ta), 100 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer BSC0901
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2mOhm bei 30A, 10V

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Ersatzartikel (5)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
BSC0502NSIATMA1	Infineon Technologies	22.766	BSC0502NSIATMA1CT-ND	1,43000 €	Vom Hersteller empfohlen
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