Name: BSC050NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC050NE2LSATMA1TR-ND
Price: 1.331 EUR
Availability: InStock

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BSC050NE2LSATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSC050NE2LSATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSC050NE2LSATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSC050NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSC050NE2LSATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 39 A (Ta), 58 A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-5
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSC050NE2LSATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10.4 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 760 pF @ 12 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 28W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-5
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 39 A (Ta), 58 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer BSC050
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5mOhm bei 30A, 10V