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MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 63 A (Tc) 241W Durchkontaktierung DIP 44x28DA
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MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 63 A (Tc) 241W Durchkontaktierung DIP 44x28DA
AMF12S25LB2ZXKMA1

AMF12S25LB2ZXKMA1

DigiKey-Teilenr.
448-AMF12S25LB2ZXKMA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AMF12S25LB2ZXKMA1
Beschreibung
AMF12S25LB2ZXKMA1
Standardlieferzeit des Herstellers
36 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 63 A (Tc) 241W Durchkontaktierung DIP 44x28DA
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,1V bei 8,6mA
Hersteller
Infineon Technologies
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
60nC bei 18V
Serie
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1986pF bei 800V
Verpackung
Stange
Leistung - Max.
241W
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Klasse
Automobiltechnik
Konfiguration
4 N-Kanal (Vollbrücke)
Qualifizierung
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
63 A (Tc)
Gehäuse / Hülle
32-poliges PowerDIP-Modul (1,264", 32,10mm)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
35,3mOhm bei 27,3A, 18V
Gehäusetyp vom Lieferanten
DIP 44x28DA
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
130,78000 €30,78 €
1122,50091 €247,51 €
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