Name: AIMDQ75R025M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMDQ75R025M2HXTMA1TR-ND
Price: 14.7983 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 750 V 70 A (Tc) 272W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

AIMDQ75R025M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-AIMDQ75R025M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-AIMDQ75R025M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-AIMDQ75R025M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AIMDQ75R025M2HXTMA1
Beschreibung	SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 750 V 70 A (Tc) 272W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	AIMDQ75R025M2HXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 8,1mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 49 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (Max.) +23V, -7V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1729 pF @ 500 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 272W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 750 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 70 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HDSOP-22
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 22mOhm bei 36,7A, 20V	Gehäuse / Hülle 22-poliges PowerBSOP-Modul