Name: AIMCQ120R160M1TXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMCQ120R160M1TXTMA1TR-ND
Price: 6.6066 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 18,6 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22

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AIMCQ120R160M1TXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-AIMCQ120R160M1TXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-AIMCQ120R160M1TXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-AIMCQ120R160M1TXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	AIMCQ120R160M1TXTMA1
Beschreibung	SIC_DISCRETE
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 18,6 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,1V bei 1,5mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14 nC @ 20 V
Serie CoolSiC™	Vgs (Max.) +25V, -10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 350 pF @ 800 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18,6 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V, 20V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HDSOP-22
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 200mOhm bei 5A, 20V	Gehäuse / Hülle 22-poliges PowerBSOP-Modul