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IRFD121 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 2156-IRFD121-ND |
Hersteller | Harris Corporation |
Hersteller-Teilenummer | IRFD121 |
Beschreibung | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 80 V 1,3 A (Tc) 1W (Tc) Durchkontaktierung 4-DIP, Hexdip |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15 nC @ 10 V |
Verpackung Lose im Beutel | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 450 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 1W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten 4-DIP, Hexdip |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 300mOhm bei 600mA, 10V |
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