N-Kanal 200 V 6,5 A (Tc) 38W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
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IRFS630A

DigiKey-Teilenr.
2156-IRFS630A-ND
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
IRFS630A
Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 6,5 A (Tc) 38W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Fairchild Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm bei 3,25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
650 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
38W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
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