Name: FDD8447L
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDD8447L-ND
Price: 0.45984 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDD8447L
DigiKey-Teilenr.	2156-FDD8447L-ND
Hersteller	Fairchild Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	FDD8447L
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 15,2 A (Ta), 50 A (Tc) 3,1W (Ta), 44W (Tc) Oberflächenmontage TO-252 (DPAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Fairchild Semiconductor
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15,2 A (Ta), 50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,5mOhm bei 14A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1970 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,1W (Ta), 44W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252 (DPAK)
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63