Name: DMTH61M8LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH61M8LPSQ-13TR-ND
Price: 3.7389 EUR
Availability: InStock

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DMTH61M8LPSQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMTH61M8LPSQ-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMTH61M8LPSQ-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMTH61M8LPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH61M8LPSQ-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 225 A (Tc) 3,2W (Ta), 187,5W (Tc) Oberflächenmontage PowerDI5060-8 (Typ K)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 115.5 nC @ 10 V
Herst. Diodes Incorporated	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8320 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,2W (Ta), 187,5W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 225 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerDI5060-8 (Typ K)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,6mOhm bei 30A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA

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Ersatzartikel (1)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
DMTH61M8LPS-13	Diodes Incorporated	1.330	31-DMTH61M8LPS-13CT-ND	3,48000 €	Parametrisches Äquivalent

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* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von 5,50 € erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
2.500	0,96265 €	2.406,62 €
5.000	0,91895 €	4.594,75 €

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Stückpreis mit MwSt.:	3,73890 €

DMTH61M8LPSQ-13