Name: DMTH6016LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6016LPSQ-13DITR-ND
Price: 1.1011 EUR
Availability: InStock

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DMTH6016LPSQ-13
DigiKey-Teilenr.	DMTH6016LPSQ-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMTH6016LPSQ-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMTH6016LPSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH6016LPSQ-13
Beschreibung	MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 9,8 A (Ta), 37 A (Tc) 2,6W (Ta), 37,5W (Tc) Oberflächenmontage PowerDI5060-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17 nC @ 10 V
Herst. Diodes Incorporated	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 864 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,6W (Ta), 37,5W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,8 A (Ta), 37 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerDI5060-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 16mOhm bei 20A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA	Basis-Produktnummer DMTH6016

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