Name: DMTH41M8SPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH41M8SPSQ-13TR-ND
Price: 3.1097 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMTH41M8SPSQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMTH41M8SPSQ-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMTH41M8SPSQ-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMTH41M8SPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH41M8SPSQ-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 100 A (Tc) 3,03W Oberflächenmontage PowerDI5060-8 (Typ K)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 79.5 nC @ 10 V
Herst. Diodes Incorporated	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6968 pF @ 20 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,03W
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 100 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerDI5060-8 (Typ K)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,8mOhm bei 30A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA	Basis-Produktnummer DMTH41