Name: DMTH10H010SPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H010SPSQ-13TR-ND
Price: 3.2307 EUR
Availability: InStock

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DMTH10H010SPSQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMTH10H010SPSQ-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMTH10H010SPSQ-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMTH10H010SPSQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH10H010SPSQ-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 11,8 A (Ta), 100 A (Tc) 1,5W (Ta), 166W (Tc) Oberflächenmontage PowerDI5060-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 56.4 nC @ 10 V
Herst. Diodes Incorporated	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4468 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,5W (Ta), 166W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11,8 A (Ta), 100 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerDI5060-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,8mOhm bei 13A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA	Basis-Produktnummer DMTH10