Name: DMT47M2SFVWQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT47M2SFVWQ-7TR-ND
Price: 0.9559 EUR
Availability: OutOfStock

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DMT47M2SFVWQ-7
DigiKey-Teilenr.	31-DMT47M2SFVWQ-7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMT47M2SFVWQ-7CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMT47M2SFVWQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT47M2SFVWQ-7
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 15,4A (Ta), 49,1A (Tc) 2,67W (Ta), 27,1W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMT47M2SFVWQ-7 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15,4A (Ta), 49,1A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,5mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12.1 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	897 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,67W (Ta), 27,1W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	DMT47

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