Name: DMT12H007LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H007LPS-13TR-ND
Price: 3.0008 EUR
Availability: InStock

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DMT12H007LPS-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMT12H007LPS-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMT12H007LPS-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMT12H007LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT12H007LPS-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 90 A (Tc) 2,9W Oberflächenmontage PowerDI5060-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 49 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3224 pF @ 60 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,9W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 90 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerDI5060-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7,8mOhm bei 30A, 10V	Basis-Produktnummer DMT12