Name: DMT10H010LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H010LK3-13DITR-ND
Price: 2.2869 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMT10H010LK3-13
DigiKey-Teilenr.	DMT10H010LK3-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMT10H010LK3-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMT10H010LK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT10H010LK3-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 68,8 A (Tc) 3W (Ta) Oberflächenmontage TO-252-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 53.7 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2592 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 68,8 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,8mOhm bei 13A, 10V	Basis-Produktnummer DMT10