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N-Kanal 60 V 130 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMNH6008SCTQ

DigiKey-Teilenr.
DMNH6008SCTQDI-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DMNH6008SCTQ
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 130 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
DMNH6008SCTQ Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
21 nC @ 10 V
Herst.
Vgs (Max.)
20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2596 pF @ 30 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
210W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Klasse
Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Qualifizierung
AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Montagetyp
Durchkontaktierung
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8mOhm bei 20A, 10V
Gehäuse / Hülle
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (10)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT2610LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT2610L-ND11,81690 ۀhnlich
CSD18534KCSTexas Instruments1.411296-35012-ND34,52000 ۀhnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,46000 €2,46 €
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Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:2,97660 €