Name: DMN6013LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6013LFG-7DITR-ND
Price: 1.1979 EUR
Availability: InStock

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DMN6013LFG-7
DigiKey-Teilenr.	DMN6013LFG-7DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN6013LFG-7DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN6013LFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN6013LFG-7
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 10,3 A (Ta), 45 A (Tc) 1W (Ta) Oberflächenmontage POWERDI3333-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10,3 A (Ta), 45 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	13mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	55.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2577 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	POWERDI3333-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	DMN6013