Name: DMN2019UTS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2019UTS-13DITR-ND
Price: 0.726 EUR
Availability: InStock

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DMN2019UTS-13
DigiKey-Teilenr.	DMN2019UTS-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN2019UTS-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN2019UTS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN2019UTS-13
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 5,4A 780mW Oberflächenmontage 8-TSSOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMN2019UTS-13 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 950mV bei 250µA
Hersteller Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8,8nC bei 4,5V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 143pF bei 10V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 780mW
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Drain	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-TSSOP (0,173", 4,40mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TSSOP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,4A	Basis-Produktnummer DMN2019
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18,5mOhm bei 7A, 10V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)