Name: DMN10H170SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H170SK3-13DITR-ND
Price: 1.0769 EUR
Availability: InStock

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DMN10H170SK3-13
DigiKey-Teilenr.	DMN10H170SK3-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN10H170SK3-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN10H170SK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN10H170SK3-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 12 A (Tc) 42W (Tc) Oberflächenmontage TO-252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMN10H170SK3-13 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 9.7 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1167 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 42W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 12 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 140mOhm bei 5A, 10V	Basis-Produktnummer DMN10

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