CDM22010-650 SL Central Semiconductor Corp | Diskrete Halbleiterprodukte

CDM22010-650 SL ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Rochester Electronics, LLC

Vorrätig: 73.775

Stückpreis : 1,40000 €

Ähnlich

Rochester Electronics, LLC

Vorrätig: 10.047

Stückpreis : 0,75142 €

Ähnlich

Vishay Siliconix

Vorrätig: 896

Stückpreis : 2,77000 €

Ähnlich

Vishay Siliconix

Vorrätig: 1.187

Stückpreis : 2,77000 €

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 445

Stückpreis : 2,49000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

CDM22010-650 SL
DigiKey-Teilenr.	CDM22010-650SL-ND
Hersteller	Central Semiconductor Corp
Hersteller-Teilenummer	CDM22010-650 SL
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 10 A (Ta) 2W (Ta), 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
EDA/CAD-Modelle	CDM22010-650 SL Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Central Semiconductor Corp
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1Ohm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1168 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	CDM22010