Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 30 V 800 mA 300MHz 800 mW Durchkontaktierung TO-39
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 30 V 800 mA 300MHz 800 mW Durchkontaktierung TO-39
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

2N2219 TIN/LEAD

DigiKey-Teilenr.
1514-2N2219TIN/LEAD-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2N2219 TIN/LEAD
Beschreibung
30V 800MA 800MW TH TRANSISTOR-SM
Standardlieferzeit des Herstellers
7 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 30 V 800 mA 300MHz 800 mW Durchkontaktierung TO-39
Produkteigenschaften
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Kategorie
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10 nA (ICBO)
Herst.
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 bei 150mA, 10V
Verpackung
Box
Leistung - Max.
800 mW
Status der Komponente
Aktiv
Frequenz - Übergang
300MHz
Transistor-Typ
Betriebstemperatur
-65°C bis 200°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
800 mA
Montagetyp
Durchkontaktierung
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
30 V
Gehäuse / Hülle
TO-205AD, TO-39-3 Metallgehäuse
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1,6V bei 50mA, 500mA
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-39
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Bestellung verfügbar
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