Parametrisches Äquivalent
Parametrisches Äquivalent



BSDH08G65E2 | |
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DigiKey-Teilenr. | 118-BSDH08G65E2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | BSDH08G65E2 |
Beschreibung | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | Dioden 650 V 8A Durchkontaktierung TO-220-2 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Geschwindigkeit Null-Erholungszeit > 500mA (Io) |
Herst. | Umkehrerholungszeit (trr) 0 ns |
Serie | Strom - Sperrleckstrom bei Vr 40 µA @ 650 V |
Verpackung Stange | Kapazität bei Vr, F 267pF bei 1V, 1MHz |
Status der Komponente Aktiv | Montagetyp |
Technologie | Gehäuse / Hülle |
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-2 |
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) 8A | Betriebstemperatur - Übergang -55°C bis 175°C |
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If 1.7 V @ 8 A | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | 77 | 448-IDH08G65C5XKSA2-ND | 3,39000 € | Parametrisches Äquivalent |
| UJ3D06508TS | onsemi | 27.243 | 5556-UJ3D06508TS-ND | 4,11000 € | Parametrisches Äquivalent |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3.000 | 2,88060 € | 8.641,80 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,88060 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 3,48553 € |



