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N-Kanal 167 A (Tc) 555W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
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AC2M0013120K

DigiKey-Teilenr.
5875-AC2M0013120K-ND
Hersteller
APSEMI
Hersteller-Teilenummer
AC2M0013120K
Beschreibung
SIC MOSFET N-CH 1200V 167A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 167 A (Tc) 555W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
APSEMI
Serie
*
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
167 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
13mOhm bei 100A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,9V bei 12mA
Vgs (Max.)
+22V, -10V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
555W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4
Gehäuse / Hülle
TO-247-4
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MARKTPLATZPRODUKT
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,60000 €4,60 €
104,37200 €43,72 €
604,18250 €250,95 €
2403,97338 €953,61 €
4503,57580 €1.609,11 €
9003,22726 €2.904,53 €
1.0002,88731 €2.887,31 €
5.0002,62913 €13.145,65 €
10.0002,39075 €23.907,50 €
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