SDRAM - Mobile LPDDR4X Speicher IC 2Gbit LVSTL 1.6 GHz 3.5 ns 200-FBGA (10x14,5)
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AS4C256M16MD4V-062BAN

DigiKey-Teilenr.
1450-AS4C256M16MD4V-062BAN-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AS4C256M16MD4V-062BAN
Beschreibung
IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
SDRAM - Mobile LPDDR4X Speicher IC 2Gbit LVSTL 1.6 GHz 3.5 ns 200-FBGA (10x14,5)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
18ns
Herst.
Zugriffszeit
3.5 ns
Verpackung
Tablett
Spannung - Versorgung
1,06V bis 1,17V, 1,7V bis 1,95V
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-40°C bis 105°C (TC)
Speichertyp
Flüchtig
Klasse
Automobiltechnik
Speicherformat
Qualifizierung
AEC-Q100
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR4X
Montagetyp
Oberflächenmontage
Speichergröße
Gehäuse / Hülle
Speicherorganisation
128M x 16
Gehäusetyp vom Lieferanten
200-FBGA (10x14,5)
Speicherschnittstelle
LVSTL
Basis-Produktnummer
Taktfrequenz
1.6 GHz
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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