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SRAM - Asynchron Speicher IC 8Mbit Parallel 55 ns 44-TSOP2
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AS6C8016A-55ZIN

DigiKey-Teilenr.
AS6C8016A-55ZIN-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AS6C8016A-55ZIN
Beschreibung
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP2
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
SRAM - Asynchron Speicher IC 8Mbit Parallel 55 ns 44-TSOP2
Datenblatt
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Nicht verifiziert
Speichertyp
Flüchtig
Speicherformat
Technologie
SRAM - Asynchron
Speichergröße
Speicherorganisation
512K x 16
Speicherschnittstelle
Parallel
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
55ns
Zugriffszeit
55 ns
Spannung - Versorgung
2,7V bis 3,6V
Betriebstemperatur
-40°C bis 85°C (TA)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
44-TSOP2
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