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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Datenblatt
SRAM - Asynchron Speicher IC 4Mbit Parallel 55 ns 48-TFBGA (6x8)
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AS6C4016-55BIN

DigiKey-Teilenr.
1450-1179-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AS6C4016-55BIN
Beschreibung
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
SRAM - Asynchron Speicher IC 4Mbit Parallel 55 ns 48-TFBGA (6x8)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
AS6C4016-55BIN Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Speicherschnittstelle
Parallel
Herst.
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
55ns
Verpackung
Tablett
Zugriffszeit
55 ns
Status der Komponente
Aktiv
Spannung - Versorgung
2,7V bis 5,5V
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Betriebstemperatur
-40°C bis 85°C (TA)
Speichertyp
Flüchtig
Montagetyp
Oberflächenmontage
Speicherformat
Gehäuse / Hülle
Technologie
SRAM - Asynchron
Gehäusetyp vom Lieferanten
48-TFBGA (6x8)
Speichergröße
Basis-Produktnummer
Speicherorganisation
256K x 16
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IS62WV25616EBLL-45BLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc352706-1507-ND4,44000 ۀhnlich
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