SDRAM - DDR Speicher IC 256Mbit Parallel 200 MHz 700 ps 60-TFBGA (8x13)
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AS4C16M16D1-5BIN

DigiKey-Teilenr.
1450-1119-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
AS4C16M16D1-5BIN
Beschreibung
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
SDRAM - DDR Speicher IC 256Mbit Parallel 200 MHz 700 ps 60-TFBGA (8x13)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
AS4C16M16D1-5BIN Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Speicherschnittstelle
Parallel
Herst.
Taktfrequenz
200 MHz
Verpackung
Tablett
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
15ns
Status der Komponente
Aktiv
Zugriffszeit
700 ps
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Spannung - Versorgung
2,3V bis 2,7V
Speichertyp
Flüchtig
Betriebstemperatur
-40°C bis 85°C (TA)
Speicherformat
Montagetyp
Oberflächenmontage
Technologie
SDRAM - DDR
Gehäuse / Hülle
Speichergröße
Gehäusetyp vom Lieferanten
60-TFBGA (8x13)
Speicherorganisation
16M x 16
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (2)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IS43R16160F-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc1706-1373-ND6,58000 ۀhnlich
IS43R16160F-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc313706-1372-ND6,58000 €Parametrisches Äquivalent
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