Wolfspeed

Diskrete 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs

Diskrete 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs von Wolfspeed steigern den Wirkungsgrad

Bild der diskreten 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs von Wolfspeed Die 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs von Wolfspeed setzen den Standard für Leistung, Robustheit und einfaches Design-in. Extrem schnelles Schalten, ultraniedrige Schaltverluste und stabile Leitungsverluste über die Temperatur gewährleisten eine erhebliche Verbesserung der Systemeffizienz, der Leistungsdichte und der Gesamtkosten im Vergleich zu den etablierten Silizium-MOSFETs und IGBTs. Sie sind für die Optimierung von Hochleistungsanwendungen wie unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Motorantriebe, Schaltnetzteile (SMPS), erneuerbare Energien, Schnellladegeräte für Elektrofahrzeuge und mehr konzipiert. 

In Verbindung mit den 1.200-V-SiC-Schottky-Dioden bilden diese MOSFETs eine leistungsstarke Kombination für einen höheren Wirkungsgrad in Anwendungen mit strengen Anforderungen. Benutzer können die dynamische Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung der Wolfspeed SiC MOSFETs mit der SpeedVal™ Kit Modular Evaluation Platform bewerten und optimieren.

Merkmale
  • Stabiler RDS (ON) über den Temperaturbereich
  • Schnelle, robuste intrinsischeSiliziumkarbid-Body-Diode
  • Hochtemperaturbetrieb: TJ = +175 °C
 
  • Erhältlich in neuen Gehäuseoptionen mit separatem Kelvin-Source-Pin
  • Geringere Kühlkörperanforderungen
Anwendungen
  • Energiespeicherung
  • Solarwechselrichter
  • On- und Off-Board-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge
 
  • USV und Motorantriebe
  • EV-Motorantriebe
  • Hilfsnetzteile

1,200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungFET-TypTechnologieDrain-Source-Spannung (Vdss)Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3C3M0350120DSICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3N-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V5 - Sofort$5.12Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7C3M0075120JSICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7N-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V2422 - Sofort$7.60Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7C3M0075120J-TRSICFET N-CH 1200V 30A TO263-7N-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V983 - Sofort$7.60Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3C3M0075120DSICFET N-CH 1200V 30A TO247-3N-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V283 - Sofort$7.60Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4LC3M0075120KSICFET N-CH 1200V 30A TO247-4LN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V840 - Sofort$7.96Details anzeigen
1200V 40MOHM SIC MOSFETC3M0040120K1200V 40MOHM SIC MOSFETN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V1384 - Sofort$12.38Details anzeigen
1200V 40 M SIC MOSFETC3M0040120J11200V 40 M SIC MOSFETN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V181 - Sofort$10.39Details anzeigen
1200V 40MOHM SIC MOSFETC3M0040120D1200V 40MOHM SIC MOSFETN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V710 - Sofort$10.39Details anzeigen
1200V 32MOHM SIC MOSFETC3M0032120J11200V 32MOHM SIC MOSFETN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V253 - Sofort$11.35Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4LC3M0032120KSICFET N-CH 1200V 63A TO247-4LN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V137 - Sofort$11.35Details anzeigen
SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-E3M0021120KSIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-N-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V536 - Sofort$16.04Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4LC3M0021120KSICFET N-CH 1200V 100A TO247-4LN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V2556 - Sofort$17.71Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3C3M0021120DSICFET N-CH 1200V 100A TO247-3N-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V140 - Sofort$15.40Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3C3M0016120DSICFET N-CH 1200V 115A TO247-3N-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-E3M0016120KSIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-N-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V973 - Sofort$23.18Details anzeigen
SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4C3M0016120KSICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4N-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V433 - Sofort$22.26Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7C3M0350120JSICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7N-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V509 - Sofort$5.12Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7C3M0160120JSICFET N-CH 1200V 17A TO263-7N-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V1364 - Sofort$6.25Details anzeigen
MOSFET N-CH 1200V 69A TO247-4LC3M0032120K1MOSFET N-CH 1200V 69A TO247-4LN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V608 - Sofort$11.35Details anzeigen
1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FETE3M0075120D1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FETN-KanalSiCFET (Siliziumkarbid)1200 V97 - Sofort$18.26Details anzeigen
Veröffentlicht: 2025-01-17

Related Videos

The Power to Make it Real™ – Our Purpose
The Power to Make it Real™ – Our Purpose

Datum der Veröffentlichung: 2024-11-07

Simulate Solar Energy Systems with SpeedFit™ Design Simulator
Simulate Solar Energy Systems with SpeedFit™ Design Simulator

Datum der Veröffentlichung: 2024-08-07

Quickly Designing Industrial Motor Drives with SiC using SpeedFit™ Design Simulator
Quickly Designing Industrial Motor Drives with SiC using SpeedFit™ Design Simulator

Datum der Veröffentlichung: 2024-08-07

Related Product Highlight

Siliziumkarbid-(SiC)-Lösungen für Servoantriebe Das Portfolio von Wolfspeed an SiC-MOSFETs, Schottky-Dioden und Leistungsmodulen ermöglicht eine größere Flexibilität bei der Gestaltung von Servoantrieben mit Siliziumkarbid.
Siliziumkarbid-Lösungen für industrielle Motorantriebe mit niedriger Spannung Das umfassende Wolfspeed-Sortiment von SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden bietet Flexibilität bei der Entwicklung effizienter Motorantriebslösungen mit niedriger Spannung
Siliziumkarbid-Lösungen für Wärmepumpen und Klimaanlagen Die Siliziumkarbid-Lösungen von Wolfspeed ermöglichen effiziente Wärmepumpen und Klimageräte mit minimaler Neuentwicklung.

Related Articles and Blogs

Halbleiter mit großer Bandlücke gestalten das Transportwesen neu Der gesamte Verkehrssektor befindet sich in einem radikalen Umbruch mit Lösungen für Elektro- und Hybridautos und einen saubereren Massentransport.
Halbleiter mit großer Bandlücke in Luft- und Raumfahrt- sowie Satellitenanwendungen Halbleiter mit großer Bandlücke bieten mehrere Vorteile bei der Leistungswandlung, z. B. eine höhere Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad sowie eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts.
Kein Hype weit und breit: SiC-MOSFETs sind völlig real Überschattet vom Hype in der Unterhaltungselektronik sorgen SiC-basierte MOSFETs still und heimlich für eine Leistungssteigerung der Stromversorgungssysteme.