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P-Kanal-MOSFET SUM70101EL für 100 V
Vishay stellt einen P-Kanal-MOSFET vor, der Leistungs- und Leitungsverluste reduziert und eine Erhöhung der Leistungsdichte ermöglicht
Der MOSFET SUM70101EL von Vishay Siliconix verfügt über einen branchenführenden RDS(ON) (0,0101 Ω bei -10 V und 0,015 Ω bei -4,5 V), wodurch der Leitungsverlust minimiert und der Wirkungsgrad erhöht wird.
Merkmale
- TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
- Gehäuse mit geringem thermischem Widerstand
- Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C
- Niedriger RDS(ON) minimiert den Leistungsverlust durch Leitung
- Kompatibel mit Gatteransteuerung auf Logikebene
- 100% Rg und UIS-getestet
Anwendungen
- Batterieschutz
- Motorantriebssteuerung
- Lastschalter
SUM70101EL 100 V P-Channel MOSFET
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SUM70101EL-GE3 | MOSFET P-CH 100V 120A TO263 | 100 V | 120 A (Tc) | 4,5V, 10V | 62386 - Sofort | $4.67 | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2018-01-26
