Vishay Semiconductor - Opto Division

IR-Emitter TSHF5211

IR-Emitter von Vishay bieten höhere Strahlungsintensität und kürzere Schaltzeiten als Komponenten der vorherigen Generation

Abbildung: IR-Emitter TSHF5211 von Vishay Semi OptoVishay bietet schnelle Infrarot (IR) emittierende Dioden mit 890 nm in einem transparenten, nicht getönten bedrahteten Kunststoffgehäuse an. Basierend auf der Oberflächenemitter-Technologie kombiniert der TSHF5211 einen hervorragenden Temperaturkoeffizienten der VF von -1,0 mV/K mit einer 50 % höheren Strahlungsintensität und schnelleren Anstiegs- und Abfallzeiten als Komponenten der vorherigen Generation. Der Emitter bietet eine gute spektrale Abstimmung mit Photodetektoren aus Silikon. Diese Emitter sind für industrielle Erfassungsanwendungen geeignet.

Merkmale/Funktionen
  • Gehäusetyp: bedrahtet
  • Gehäuseform: T-1¾
  • Abmessungen: Ø 5 mm
  • Drähte mit Abstandshalter
  • Maximale Wellenlänge: λp = 890 nm
  • Hohe Zuverlässigkeit
  • Hohe Strahlungsleistung und Intensität
  • Halbwertswinkel: ϕ = ±10°
  • Niedrige Durchlassspannung
  • Gute spektrale Abstimmung mit Photodetektoren aus Si

TSHF5211 IR Emitter

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungTypStrom - DC, Durchlass (If) (max.)Strahlungsintensität (Ie) Min. bei IfVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
IR EMITTER DH 890NM 5MM 10DEGTSHF5211IR EMITTER DH 890NM 5MM 10DEGInfrarot (IR)100mA150mW/sr bei 100mA3834 - Sofort$0.42Details anzeigen
Veröffentlicht: 2024-09-17