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AEC-Q101-konformer Gen III-GaN-FET TP65H035WSQA
Der AEC-Q101-konforme 650-V-GaN-FET von Transphorm wird für 175 °C angeboten
Die Hochspannungskomponente TP65H035WSQA, die für die Verwendung der JEDEC-konformen Gen III-GaN-Plattform von Transphorm gebaut wurde, bietet einen Durchlasswiderstand von 35 mΩ in einem Standard-TO247-Gehäuse und ermöglicht so eine einfache Benutzung. Es ist auch die zweite AEC-Q101-konforme GaN-Komponente des Unternehmens, die zu Transphorms Produktfamilie von Power-FETs gehört, die in verschiedenen Kundenanwendungen in der Produktion eingesetzt werden. Für diese jüngste Kfz-Qualifizierung hob Transphorm die thermischen Grenzwerte des FET auf 175 °C an, was 25 °C über den Standard-Hochspannungs-Silizium-MOSFETs mit AEC-Q101-Konformität liegt. Der TP65H035WSQA vereint diese bewährte Zuverlässigkeit mit einer 4-V-Schwelle und einem ±20-V-Gate-Robustheitsgrad. Er ist einer der derzeit hochwertigsten und zuverlässigsten (Q + R)-GaN-Leistungshalbleiter.
- Plug-in-Hybrid-Elektrofahrzeuge (PHEVs)
- Batterie-Elektrofahrzeuge (BEVs)
- Industrie
- On-Board-Ladegeräte für Wechselstrom zu Gleichstrom (OBCs)
- DC/DC-Wandler
- DC/AC-Wechselrichtersysteme
TP65H035WSQA GaN FET
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TP65H035WSQA | GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3 | 650 V | 0 - Sofort | $20.06 | Details anzeigen |
Belgien