DPAK-MOSFET UMOS9

Toshiba hat seine Familie von extrem effizienten Niederspannungs-MOSFET erweitert und neue 40-V- und 60-V-Komponenten zur bestehenden Produktlinie hinzugefügt. Alle Komponenten werden in einer DPAK-Gehäuseoption angeboten, die den geringen Betriebswiderstand sowie den niedrigen Q_OSS für einen erhöhten Wirkungsgrad von Schaltnetzteilen in Basisstationen, Servern oder Industrieanlagen bietet.

Diese neuen N-Kanal-MOSFET für 40 V und 60 V basieren auf dem hochmodernen U-MOS-IX-H-Trench-Halbleiterherstellungsverfahren von Toshiba. Dieses Verfahren wurde entwickelt, um einen erstklassigen Wirkungsgrad über einen weiten Bereich von Lastbedingungen zu gewährleisten. Dazu wurde der Betriebswiderstand (R_DS(ON)) stark gesenkt und die Schalteffizienz verbessert, indem die Ausgangsladung (Q_OSS) verringert wurde.

Die MOSFET helfen Entwicklern bei der Reduzierung von Schaltverlusten und Platzbedarf auf der Platine in einer Vielzahl von Energiemanagement-Schaltungen, einschließlich High-Side- und Low-Side-Schalten bei der DC/DC-Umwandlung und sekundärseitiger Synchrongleichrichtung in AC/DC-Designs. Die Technologien sind außerdem ideal zur Motorsteuerung und für Schaltkreisschutzmodule in elektronischen Geräten auf Basis von Lithium-Ionen-Akkus geeignet.