Leistungsmultiplexing-Lösung für 5 V bis 24 V

High-Side-Gate-Treiber und Common-Drain-MOSFET von Toshiba als Leistungsmultiplexer

Abbildung: Leistungsmultiplexing-Lösung von ToshibaDie Gate-Treiber-ICs der Serie TCK42xG von Toshiba ermöglichen ein verlustarmes unterbrechendes und kurzschließendes Schalten. Anwendungen wie Smartphones, am Körper tragbare Geräte, IoT und Heimkonsolensysteme haben in der Regel mehrere Eingangsstromquellen, von induktiv über USB-PD bis hin zu internen Batterien. Das Leistungsmultiplexen verschiedener Eingangsstromquellen ist eine wichtige Anforderung an den Leistungsmanagement-Schaltkreis.

Allgemein gesprochen sind das unterbrechende (nicht brückend) und das kurzschließende (brückend) Schalten die Ausgangsschaltmethoden von Leistungsmultiplexer-Schaltungen. Das unterbrechende Schalten schaltet der Ausgang nach dem Abfallen auf 0 V und eignet sich für Anwendungen, die einen Rückstrom zum Eingang während des Ausgangsschaltens verhindern wollen, wie z. B. Batterieladeschaltungen. Das kurzschließende Schalten schaltet den Ausgang, ohne auf 0 V abzufallen, und eignet sich für Anwendungen, bei denen die Stromversorgung aufrechterhalten werden muss, z. B. für Audioschaltungen oder Notstromversorgung. Ein erhöhter Stromverbrauch und erweiterte Gerätefunktionen erfordern das effiziente unterbrechende und kurzschließende Schalten, um Strom zu sparen.

Die Serie TCK42xG legt die optimale Spannung an das Gate von N-Kanal-MOSFETs mit niedrigem Durchlasswiderstand an, um ein energieeffizienteres und kompakteres Schalten als bei monolithischen ICs zu erreichen. Darüber hinaus bietet die Serie TCK42xG durch ihre Kompatibilität mit Common-Drain-MOSFETs eine Rückflussverhinderung beim unterbrechenden/kurzschließenden Schalten.

Ressourcen
  • Beispiel einer N-Kanal-MOSFET-Schaltung mit Common-Drain-Anschluss
  • Abbildung: Common-Drain-Anschluss von Toshiba

  • Beispiel einer Anwendungsschaltung für einen Leistungsmultiplexer
  • Abbildung: Common-Drain-MOSFET von Toshiba

  • Ausgangsschaltverfahren für Leistungsmultiplexer von 5 V (VINA) auf 20 V (VINB)
  • Abbildung: Beispiel einer N-Kanal-MOSFET-Schaltung mit Common-Drain-Anschluss von Toshiba  
Merkmale/Funktionen
  • Erstellen eines nicht brückenden oder brückenden Multiplexers
  • Unterstützt Stromleitungen von 5 V bis 24 V
  • Überspannungssperre und Unterspannungssperre
  • Geringe Baugröße
Anwendungen/Zielmärkte
  • Smartphones
  • Wearables
  • SSD
  • Mobilgeräte
  • Intelligente Lautsprecher
  • IoT-Geräte
  • Tablets
  • Dauerbetriebene Geräte

Drain common MOSFET

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13SSM10N954L,EFFCOMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 139825 - Sofort$0.84Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPASSM6N951L,EFFMOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA0 - Sofort$1.30Details anzeigen

Gate Driver

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IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPGTCK421G,L3FIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPG0 - Sofort$0.59Details anzeigen

MOSFET Gate Driver

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IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPGTCK421G,L3FIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPG0 - Sofort$0.59Details anzeigen
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPGTCK420G,L3FIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPG13037 - Sofort$0.59Details anzeigen
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPGTCK422G,L3FIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPG1305 - Sofort$0.59Details anzeigen
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPGTCK423G,L3FIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPG113 - Sofort$0.59Details anzeigen
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPGTCK424G,L3FIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPG5000 - Sofort$0.59Details anzeigen
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPGTCK425G,L3FIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPG285 - Sofort$0.59Details anzeigen

Zener Diodes

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
TVS DIODE 5.6VWM 9VC USCCUZ5V6,H3FTVS DIODE 5.6VWM 9VC USC16271 - Sofort$0.19Details anzeigen
TVS DIODE 6.2VWM 10VC USCCUZ6V2,H3FTVS DIODE 6.2VWM 10VC USC5506 - Sofort$0.14Details anzeigen
TVS DIODE 6.8VWM 13VC USCCUZ6V8,H3FTVS DIODE 6.8VWM 13VC USC3138 - Sofort$0.15Details anzeigen
TVS DIODE 8.2VWM 16.5VC USCCUZ8V2,H3FTVS DIODE 8.2VWM 16.5VC USC3049 - Sofort$0.11Details anzeigen
TVS DIODE 12VWM 26VC USCCUZ12V,H3FTVS DIODE 12VWM 26VC USC657 - Sofort$0.12Details anzeigen
TVS DIODE 16VWM 27VC USCCUZ16V,H3FTVS DIODE 16VWM 27VC USC3975 - Sofort$0.11Details anzeigen
TVS DIODE 20VWM 30.5VC USCCUZ20V,H3FTVS DIODE 20VWM 30.5VC USC3474 - Sofort$0.23Details anzeigen
TVS DIODE 24VWM 36.5VC USCCUZ24V,H3FTVS DIODE 24VWM 36.5VC USC1725 - Sofort$0.11Details anzeigen
TVS DIODE 30VWM 47.5VC USCCUZ30V,H3FTVS DIODE 30VWM 47.5VC USC6000 - Sofort$0.17Details anzeigen
TVS DIODE 36VWM 63VC USCCUZ36V,H3FTVS DIODE 36VWM 63VC USC7213 - Sofort$0.16Details anzeigen
Aktualisiert: 2026-02-02
Veröffentlicht: 2022-02-04