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3-kW-Netzteil für 48-V-Server- und Telekommunikationsanwendungen
Die MOSFETs von Toshiba sind für die Herausforderungen moderner Serverdesigns ausgelegt
Die SiC-MOSFETs und Niederspannungs-MOSFETs von Toshiba wurden entwickelt, um den Herausforderungen moderner Serverdesigns wie erhöhter Raumdichte und hohen thermischen Umgebungen gerecht zu werden.
Für diese Anwendung bietet Toshiba 650-V-SiC-MOSFETs für die Primärseite und 80-V-MOSFETs für die Sekundärseite an. Dies wird mit SiC-Schottky-Sperrschichtdioden und digitaler Isolierung kombiniert, um einen hohen Wirkungsgrad in einer halbbrückenlosen PFC- und phasenverschobenen Vollbrücken-Synchrongleichrichter-Topologie zu erreichen.
Merkmale/Funktionen
- 3-kW-AC/DC-Wandler
- Hocheffiziente MOSFETs und Dioden
- Digitale Isolierung
- Eingangsspannung: AC 180 V bis 264 V
- Ausgangsspannung: DC 50 V
- Ausgangsleistung: 3 kW
- Schaltungstopologie: halbbrückenlose PFC, phasenverschobene Vollbrücke + Synchrongleichrichtung, ORing-Schaltung für den Ausgang
Anwendungen/Zielmärkte
- Server
- Telekommunikation
- 48-V-Backplanes
Blockdiagramm
3 kW Power Supply Design
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TW027U65C,RQ | N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T | 1934 - Sofort | $34.07 | Details anzeigen |
|  | TPM1R908QM,LQ | N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V, | 8872 - Sofort | $2.46 | Details anzeigen |
|  | TW092V65C,LQ | N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH | 2480 - Sofort | $19.22 | Details anzeigen |
| | TRS12V65H,LQ | DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP | 3817 - Sofort | $3.74 | Details anzeigen |
|  | TPW2900ENH,L1Q | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO | 1880 - Sofort | $3.14 | Details anzeigen |
|  | DCL540C01(T,E | DGTL ISOLTR 5KV 4CH GP 16-SOIC | 2893 - Sofort | $5.04 | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2026-02-10
Belgien