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NexFET™-Leistungsstufe CSD95377Q4M
Texas Instruments bietet seine NexFET-Leistungsstufe CSD95377Q4M für synchrone Abwärtswandler in einem kleinen Gehäuse mit einem Umfang von 3,5 mm x 4,5 mm
Die NexFET-Leistungsstufe CSD95377Q4M von Texas Instruments eignet sich dank ihres hochgradig optimierten Designs für den Einsatz in Synchron-Abwärtswandlern mit hoher Leistung und hoher Dichte. Dieses Produkt integriert Treiber-IC und Leistungs-MOSFETs zur Abrundung der Schaltfunktion der Leistungsstufe. Der Treiber-IC verfügt über eine integrierte wählbare Diodenemulationsfunktion, die einen DCM-Betrieb (diskontinuierliche Leitung) zur Verbesserung der Effizienz bei geringer Last ermöglicht. Diese Kombination sorgt für das hocheffiziente und schnelle Schalten von hohen Strömen in einem kleinen Gehäuse mit einem Umfang von 3,5 mm x 4,5 mm. Darüber hinaus hilft die optimierte Platinengrundfläche dabei, die Entwicklungszeit zu reduzieren und die Fertigstellung des gesamten Systemdesigns zu vereinfachen.
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CSD95377Q4M NexFET Power Stage
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Schnittstelle | Lasttyp | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | CSD95377Q4MT | IC HALF BRIDGE DRIVER 30A 8VSON | PWM | Induktiv | 484 - Sofort | $2.55 | Details anzeigen |
