MDmesh-M2-EP ist STMicroelectronics neueste Generation von Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die gemäß dem revolutionären Superjunction-Prinzip (SJ) konstruiert wurden. Sie wurden speziell entwickelt, um eine hohe Performance in hart- und sanftschaltenden Topologien (z. B. Leistungsfaktorkorrektur, LLC) zu bieten. Dank seines Streifenlayouts und einer verbesserten vertikalen Struktur, zeigt die Technologie einen niedrigen Durchlasswiderstand, niedrigen Qg und ein optimiertes Schaltverhalten mit sehr niedrigen Abschalt-Schaltverlusten. Dies ermöglicht effizientere, kompaktere und leichtere Lösungen.
| Merkmale |
| Vorteile |
- Extrem niedriger Qg
- Optimiertes Kapazitätsprofil für Leichtlastbedingungen
- Optimierte Vth- und Rg-Werte für weiches schalten
- Sehr robuste Körperdiode
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- Verbesserte Effizienz insbesondere bei geringer Last in PFC- und resonanten Topologien (z. B. LLC)
- Reduzierte Schaltverluste für einen breiten Bereich von Lasten und Eingangsspannungen
- Für hart und sanft schaltende Topologien geeignet
- Sichere Konstruktion
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