Leistungsstarke Dickschicht-Chipwiderstände RMAN auf Aluminiumnitrid-Substrat

Dickschicht-Chipwiderstände auf Aluminiumoxid-Substraten dominieren seit langem den Markt aufgrund ihrer ausgewogenen Kombination aus Leistung, Stabilität, Zuverlässigkeit und Kosten. Die begrenzte Wärmeleitfähigkeit von Aluminiumoxid schränkt jedoch die Leistung ein, die diese Widerstände erreichen können. Die RMAN-Serie von Stackpole überwindet diese Einschränkung durch die Verwendung von Aluminiumnitrid-Substraten, die eine deutlich höhere Wärmeleitfähigkeit bieten. Diese Weiterentwicklung ermöglicht eine wesentlich höhere Leistungsaufnahme bei gleichzeitiger Beibehaltung der Leistung und Zuverlässigkeit, die Kunden von der Dickschichtwiderstandstechnologie erwarten.

Die RMAN-Serie bietet eine außergewöhnliche Leistungsdichte mit Nennwerten von 2,4 W in einem 1206-Gehäuse und 3,4 W in einem 2512-Gehäuse. Diese Leistungswerte werden erreicht, während die Hot-Spot- und Endtemperaturen innerhalb sicherer Betriebsgrenzen bleiben – eine Leistung, die mit herkömmlichen hochleistungsfähigen Chipwiderständen auf Aluminiumoxid-Basis nur schwer zu erreichen ist.