PowerTrench®-MOSFETs

Die PowerTrench-MOSFETs von onsemi bieten einen großen Fortschritt bei Wirkungsgrad und Performance. Der Übergang von T6/T8 zu T10 zeichnet sich durch erhebliche Verbesserungen bei Durchlasswiderstand und Schaltleistung aus, was für energieeffizientes Design entscheidend ist. Die Serie T10 verfügt über einen optimalen Betriebswiderstand in einem kompakten Gehäuse mit 5 mm x 6 mm und bietet eine geringere Gate-Ladung sowie verbesserte Erholungseigenschaften, was sich in einer geringeren Energieverschwendung in Form von Wärme, einer höheren Zuverlässigkeit und einer verbesserten Performance in Hochfrequenz-Schaltanwendungen niederschlägt.

Die T10-MOSFETs verfügen über einen höheren Avalanche-Strom und eine verbesserte Energiebelastbarkeit, was für Robustheit unter extremen Bedingungen sorgt. Diese Fortschritte sind nicht nur inkrementell, sondern transformativ und ermöglichen kompaktere, effizientere und leistungsstärkere Elektronikgeräte. Von DC/DC-Wandlern bis hin zu Motorantrieben hat die PowerTrench-Technologie Maßstäbe für die Möglichkeiten von Leistungsmanagementlösungen gesetzt.