Nexperia

EMV-optimierte MOSFETs NextPowerS3

Entdecken Sie die fortschrittlichen Funktionen und Anwendungen der MOSFET-Serie NextPowerS3 von Nexperia, die für hocheffiziente Leistungsschalter entwickelt wurde

Abbildung: EMV-optimierte MOSFETs NextPowerS3 Die MOSFET-Serie NextPowerS3 von Nexperia, zu der die Modelle PSMN1R7-40YLB, PSMN1R9-40YSB, PSMN2R0-40YLB, PSMN2R2-40YSB, PSMN2R5-40YLB, PSMN2R8-40YSB, PSMN3R2-40YLB und PSMN3R5-40YSB gehören, stellt einen bedeutenden Fortschritt in der Leistungs-MOSFET-Technologie dar. Diese N-Kanal-MOSFETs sind für Hochleistungs-Schaltanwendungen optimiert und bieten einen niedrigen Durchlasswiderstand, eine hohe Strombelastbarkeit und eine hervorragende Wärmeleistung. Dank der fortschrittlichen TrenchMOS- und Schottky-Plus-Technologien bieten diese MOSFETs eine hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit. Sie sind für die Anforderungen der modernen Leistungselektronik konzipiert und bieten robuste Lösungen für eine Vielzahl von Anwendungen, von der industriellen Automatisierung bis hin zu Automobilsystemen. Diese Serie zeichnet sich durch eine niedrige Gate-Ladung, schnelle Schaltgeschwindigkeiten und eine verbesserte elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) aus und ist damit ideal für Anwendungen, die einen hohen Wirkungsgrad und geringe elektromagnetische Störungen erfordern.

Merkmale
  • Optimiert für verbesserte EMV-Leistung
  • Hoher maximaler Nennwert für kontinuierlichen Drainstrom (ID)
  • Avalanche-fähig, 100 % getestet
  • Starke SOA-Bewertung (linearer Modus)
  • Superschnelles Schalten mit weicher Erholung der Body-Diode
 
  • Niedrige Qrr, QG und QGD für hohe Systemeffizienz und Designs mit geringer elektromagnetischer Interferenz
  • Schottky-Plus-Körperdiode mit niedriger VSD, weicher Erholung und geringem IDSS-Leckstrom
  • Hochzuverlässiges LFPAK-Gehäuse (Power SO8), mit Kupferclip und angelötetem Chip, qualifiziert für +175 °C
  • Niedrige parasitäre Induktivität und Widerstand
Anwendungen/Zielmärkte
  • Automatisierung, Steuerung und Instrumentierung
  • Autonome Systeme, Robotik und Cobots
  • DC/DC-Wandler
  • Steuerung für bürstenlose Motoren
 
  • Bürstenmotoren
  • Isolierung von Batterien
  • Industrielle Lastschalter und eFuses
  • Einschaltstrom-Management, Hotswap

EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungFET-TypTechnologieDrain-Source-Spannung (Vdss)Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
PSMN1R7-40YLB/SOT669/LFPAKPSMN1R7-40YLBXPSMN1R7-40YLB/SOT669/LFPAKN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V1500 - Sofort$1.75Details anzeigen
PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAKPSMN1R9-40YSBXPSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAKN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V1495 - Sofort$1.76Details anzeigen
PSMN2R0-40YLB/SOT669/LFPAKPSMN2R0-40YLBXPSMN2R0-40YLB/SOT669/LFPAKN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V952 - Sofort$1.53Details anzeigen
PSMN2R2-40YSB/SOT669/LFPAKPSMN2R2-40YSBXPSMN2R2-40YSB/SOT669/LFPAKN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V1485 - Sofort$1.53Details anzeigen
PSMN2R5-40YLB/SOT669/LFPAKPSMN2R5-40YLBXPSMN2R5-40YLB/SOT669/LFPAKN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V1425 - Sofort$1.29Details anzeigen
PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAKPSMN2R8-40YSBXPSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAKN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V1442 - Sofort$1.29Details anzeigen
PSMN3R2-40YLB/SOT669/LFPAKPSMN3R2-40YLBXPSMN3R2-40YLB/SOT669/LFPAKN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V1152 - Sofort$1.25Details anzeigen
PSMN3R5-40YSB/SOT669/LFPAKPSMN3R5-40YSBXPSMN3R5-40YSB/SOT669/LFPAKN-KanalMOSFET (Metalloxid)40 V1435 - Sofort$1.14Details anzeigen
Veröffentlicht: 2025-01-17

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