1200-V-Siliziumkarbid-Schottky-Diode SICWT40120G6M

Die SiC-Schottky-Diode SICWT40120G6M von MCC basiert auf der MPS-Technologie (Merged PiN Schottky) und zeichnet sich durch geringe Leckströme, hohe Stoßstromfestigkeit und schnelles Schaltverhalten aus

Abbildung: 1200-V-Siliziumkarbid-Schottky-Diode SICWT40120G6M von MCCDie SICWT40120G6M von Micro Commercial Components (MCC) ist eine leistungsstarke 1200-V-Siliziumkarbid-Schottky-Diode, die für Hochleistungs-Schaltanwendungen mit hohem Wirkungsgrad entwickelt wurde. Diese Komponente ist in einem robusten TO-247AD-Gehäuse untergebracht und für anspruchsvolle Energieversorgungssysteme optimiert, die eine hohe thermische Belastbarkeit, minimale Schaltverluste und einen zuverlässigen Betrieb unter extremen Bedingungen erfordern.

Durch den Einsatz der fortschrittlichen MPS-Technologie (Merged PiN Schottky) kombiniert die SICWT40120G6M die schnellen Schalteigenschaften von Schottky-Dioden mit einer verbesserten Leckstromkontrolle und Überspannungsfestigkeit. Mit einer kontinuierlichen Durchlassstromfähigkeit von bis zu 90 A, einer Stoßstromfestigkeit von 330 A, einer Durchlassspannung von 1,65 V bei +25 °C, einem Leckstrom von nur 1 µA und einem Betriebsbereich bis zu einer Sperrschichttemperatur von +175 °C ermöglicht sie Entwicklern, den Systemwirkungsgrad zu steigern, die thermischen Anforderungen zu senken und die Leistungsdichte in Industrie-, Antriebs- und Energieanwendungen zu verbessern.

Merkmale/Funktionen

  • MPS-Technologie (Merged PiN Schottky), die geringen Leckstrom, hohe Stoßstromfestigkeit und schnelle Schaltleistung bietet
  • Der Null-Sperrverzögerungsstrom eliminiert Rückspeiseverluste und verbessert den Hochfrequenzwirkungsgrad
  • Hohe Strombelastbarkeit von IF = 90 A und IFSM = 330 A bei +25 °C zur Unterstützung anspruchsvoller Leistungswandler und Motorantriebsstufen
  • 1200 VRRM Nennleistung, unterstützt Hochspannungsgleichrichtung und Leistungsarchitekturen
  • Niedrige Durchlassspannung (VF = 1,65 V bei +25 °C), minimiert Leitungsverluste und Wärmeentwicklung
  • Geringer Leckstrom (IR ≤ 25 µA bei +25 °C) für stabile Hochtemperaturleistung
  • Großer Sperrschichttemperaturbereich: -55 °C bis +175 °C, ermöglicht die Entwicklung von Hochtemperatursystemen
  • Positiver Temperaturkoeffizient, der ein thermisches Durchgehen verhindert
  • Epoxidharz, das der Entflammbarkeitsnorm UL 94 V-0 entspricht
  • Halogenfrei und RoHS-konform, erfüllt globale Umweltanforderungen
Anwendungen/Zielmärkte
  • Schaltnetzteile
  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Motorantriebe und Traktionssysteme
  • Ladesäulen
Veröffentlicht: 2026-04-23