N-Kanal-MOSFET MCTL1D0N08Y-TP im TOLL-8L-Gehäuse

Der hochleistungsfähige N-Kanal-MOSFET MCTL1D0N08Y-TP von Micro Commercial Components (MCC) in einem innovativen TOLL-Gehäuse ist für die anspruchsvollsten kommerziellen und industriellen Leistungswandlungsanwendungen konzipiert. Er kombiniert einen extrem niedrigen Betriebswiderstand von 1 mΩ mit einem hohen Dauernennstrom von 320 A. Das TOLL-8L-Gehäuse bietet eine überlegene Alternative zum D2PAK und ermöglicht eine höhere Leistungsdichte, ein verbessertes thermisches Verhalten und schnelleres Schalten für moderne Hochfrequenz-Schaltstromversorgungen und -Motorantriebe.

Merkmale</strong

• Extrem niedriger R_DS(ON) von 1 mΩ (max.) bei V_GS = 10 V minimiert Leitungsverluste und verbessert Gesamteffizienz von Systemen
• Split-Gate-Trench-MOSFET-Technologie optimiert für niedrigen Durchlasswiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit
• VDS-Nennspannung von 80 V sorgt für zuverlässigen Betrieb in 48-V-Systemen mit ausreichendem Spielraum für Spannungstransienten und eignet sich damit für Telekommunikations- und Industrieanwendungen
• Unterstützung eines Dauernennstroms von 320 A ermöglicht hohe Belastbarkeit in anspruchsvollen Schaltungen wie Schaltstromversorgungen und industriellen Motorsteuerungen
• Geringerer Wärmewiderstand von +40 °C/W zwischen Sperrschicht und Umgebung und maximale Sperrschichttemperatur ( max. T_J) von +175 °C ermöglichen schwere industrielle Anwendungen