30-V-P-Kanal MOSFET MCAC3D0P03L-TP im DFN5060-Gehäuse

Der 30-V-P-Kanal-MOSFET MCAC3D0P03L-TP von MCC bietet 3,0 mΩ und 40 A in einem kompakten, 5 mm x 6 mm großen Gehäuse für Hochstrom-High-Side-Schaltungen

Abbildung: 30-V-P-Kanal MOSFET MCAC3D0P03L-TP von MCC im DFN5060-GehäuseDer MCAC3D0P03L-TP von Micro Commercial Components (MCC) ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET in einem platzsparenden DFN5060-Gehäuse. Diese Komponente wurde entwickelt, um das Design von High-Side-Schaltern zu vereinfachen, und kombiniert einen niedrigen Durchlasswiderstand von 3,0 mΩ mit einer robusten Dauerstrombelastbarkeit von 120 A. Der MOSFET bietet Entwicklern eine kompakte und hocheffiziente Lösung für die Steuerung von Stromschienen in räumlich begrenzten Anwendungen.

Merkmale/Funktionen

  • Niedriger RDS(on) von 3,0 mΩ (max.) bei VGS=10 V zur Minimierung von Leitungsverlusten und Verbesserung der Gesamteffizienz des Systems
  • Optimierte Trench-LV-MOSFET-Technologie für niedrige Schaltverluste und höhere Wirkungsgrade
  • Der geringere Wärmewiderstand von 0,82 °C/W zwischen Sperrschicht und Gehäuse ermöglicht eine effiziente Wärmeübertragung auf die Leiterplatte. Dies ermöglicht einen stabilen Betrieb bei hoher Leistung ohne sofortige thermische Abschaltung.
  • Die Drain-Source-Spannung (VDS) von 30 V ist ideal für 12-V-Strombusanwendungen geeignet und bietet ausreichend Spielraum für den Betrieb
Anwendungen/Zielmärkte
  • Stromverteilung und Lastschaltung in Servern, Speichersystemen und Netzwerkgeräten
  • Batteriemanagementsysteme (BMS)
  • Energiemanagementeinheiten
  • DC/DC-Wandler

MCAC3D0P03L-TP 30 V P-Channel MOSFET in DFN5060 Package

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P-CHANNEL MOSFET,DFN5060MCAC3D0P03L-TPP-CHANNEL MOSFET,DFN50604995 - Sofort$1.11Details anzeigen
Veröffentlicht: 2025-12-08