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Leistungsstarke Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden
Die SiC-Dioden von MCC eignen sich gut für Wechselrichter für Solar- und Bewegungssteuerung, USV, Telekommunikations-Basisstationen, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Beleuchtung
Die leistungsstarken SiC-Schottky-Dioden von Micro Commercial Components bieten eine hocheffiziente Hochtemperaturleistung von bis zu +175 °C. Diese Dioden bilden zusammen mit den 650-V-Super-Junction-MOSFETs eine komplette kosteneffiziente diskrete Lösung. Diese SiC-Dioden sind in Versionen mit 650 V (2 A/4 A) und 1200 V (2 A/5 A/10 A/20 A) erhältlich. Verfügbare Gehäuse sind TO-220, TO-247 und DPAK; andere Stromlevels und Gehäuse sind in der Prüfphase. Typische Anwendungen für diese SiC-Dioden sind Wechselrichter für Solar- und Bewegungssteuerung, USV, Telekommunikations-Basisstationen, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Beleuchtungsanwendungen.
Merkmale
- Extrem niedriger Schaltverlust
- Höhere Schaltfrequenz
- Positiver Temperaturkoeffizient für parallele Anwendung
- Höhere Effizienz als Standard-Schottky-Dioden
- Höhere Arbeitstemperatur von bis zu +175 °C
- Höhere Spannung von bis zu 1200 V
Anwendungen
- Wechselrichter für Solar- und Bewegungssteuerungen
- USV
- Basisstationen in der Telekommunikation
- PFC- und Beleuchtungsanwendungen
Veröffentlicht: 2020-08-27
