SiC-Schottky-Sperrschichtdioden der DCK-Serie

Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden der Serie DCK von IXYS, A Littelfuse Technology bieten einen vernachlässigbaren Sperrverzögerungsstrom, eine hohe Überlastfähigkeit und eine maximale Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175 °C.

Die SiC-Schottky-Sperrschichtdioden (Schottky barrier diodes, SBD) der Serie DCK von IXYS, A Littelfuse Technology mit 650 V (10 A und 20 A) bzw. 1200 V (10 A, 15 A, 20 A, 30 A und 40 A) in den Gehäusen TO-220-2L, TO-247-2L und TO-247-3L sind mit Einzel- und gängigen Kathodenkonfigurationen erhältlich. Mit SiC-SBDs von Littelfuse können leistungselektronische Systeme im Vergleich zu rein siliziumbasierten Lösungen einen höheren Wirkungsgrad, höhere Betriebsfrequenzen und eine höhere Leistungsdichte erzielen. Sie verfügen über ein fortschrittliches Design, das die Leistungsverluste reduziert und gleichzeitig eine hervorragende Schaltleistung gewährleistet. Dadurch eignen sie sich für Hochfrequenz-Stromversorgungsanwendungen mit hohem Wirkungsgrad, wie z. B. Schaltnetzteile, Solarwechselrichter, PV-Wechselrichter, Leistungsfaktorkorrektur, AC/DC-Wandler und Motorantriebe, bei denen Verbesserungen bei Effizienz, Zuverlässigkeit und Wärmemanagement erwünscht sind.