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2.300-V-CoolSiC™-XHP™2-MOSFET
Die MOSFETs von Infineon Technologies bieten eine Halbbrückentopologie in einem induktionsarmen, standardisierten Gehäuse
Das 2.300-V/1,0-mΩ-XHP-2-CoolSiC-MOSFET-Modul von Infineon Technologies bietet eine Halbbrücken-Topologie in einem induktionsarmen, standardisierten Gehäuse. Es nutzt die robuste .XT-Verbindungstechnologie für eine längere Lebensdauer und erstklassige Zuverlässigkeit und ist auch mit voraufgebrachtem Wärmeleitmaterial (TIM) erhältlich, um die Montage zu vereinfachen und die thermische Konsistenz zu verbessern.
Merkmale/Funktionen
- 2,3-kV-CoolSiC-MOSFET mit Trench-Gate und bewährter Langzeitstabilität und Zuverlässigkeit
- Geringe Schalt- und Leitungsverluste mit RDS(ON) bis zu 1,0 mΩ (bei +25 °C)
- Induktionsarmes, standardisiertes XHP-2-Gehäuse
- .XT-Verbindungstechnologie für erstklassige Zuverlässigkeit und längere Lebensdauer
Anwendungen/Zielmärkte
- Energiespeichersysteme
- Traktion
- Erneuerbare Energien
- Photovoltaik-Wechselrichter
XHP™ 2 2300 V CoolSiC™ MOSFET
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | FF1000UXTR23T2M1PBPSA1 | MOSFET 2N-CH 2300V AG-XHP2K23 | 4 - Sofort | $4,061.74 | Details anzeigen |
| | FF1300UXTR23T2M1PBPSA1 | MOSFET 2N-CH 2300V AG-XHP2K23 | 4 - Sofort | $3,444.13 | Details anzeigen |
| | FF2000UXTR23T2M1BPSA1 | MOSFET 2N-CH 2300V AG-XHP2K23 | 3 - Sofort | $2,754.75 | Details anzeigen |
| | FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 | MOSFET 2N-CH 2300V AG-XHP2K23 | 4 - Sofort | $2,784.73 | Details anzeigen |
Aktualisiert: 2026-02-05
Veröffentlicht: 2026-01-22
Belgien