200-V-Leistungs-MOSFET OptiMOS™ 6

Die 200-V-MOSFETs OptiMOS 6 von Infineon erfüllen die Anforderungen an hohe Leistungsdichte, Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit, indem sie im Vergleich zur Vorgängergeneration eine 42%ige R_DS(on)-Reduktion bei Raumtemperatur und sogar eine 53%ige Reduktion bei +175 °C bieten. Die reduzierte Sperrverzugsladung Q_rr und die verbesserte Linearität der Kapazität bereiten eine verbesserte Performance beim Schalten vor. So können Leitungs- und Schaltverluste reduziert werden, ohne die EMI-Performance zu beeinträchtigen. Die technologischen Merkmale verbessern den sicheren Betriebsbereich (SOA) und erhöhen die Stromtragfähigkeit des MOSFET in Schutzschalteranwendungen. Außerdem ist diese zuverlässige, leistungsstarke Technologie aufgrund der Optimierungen im Design und Präzision in der Produktion die ideale Wahl für die Parallelisierung. Es sind mehrere Gehäuseoptionen erhältlich, darunter PQFN 3,3 x 3,3, SuperSO8,D²PAK 3-Pin, D²PAK 7-Pin, TO ohne Anschlüsse und TO-220. Im Vergleich zur vorherigen Technologie ermöglicht OptiMOS 6 erhebliche Performance-Vorteile, wie z. B. geringe Leitungs- und Schaltverluste, verbesserte EMI-Performance, weniger erforderliche Parallelisierung und bessere Stromverteilung bei der Parallelisierung.

Das Leistungsplatinenmodul KIT_LGPWR_BOM015 mit dem 200-V-Leistungs-MOSFET OptiMOS 6 im D²PAK-Gehäuse stellt den Leistungsbaustein der skalierbaren LVDS-Demoboard-Plattform für Niederspannungsantriebe (LVD) dar. Es dient als einzelne Halbbrücke mit Verbindungstechnik für Leistung und Gate-Ansteuerung und bereitet den Aufbau jeder auf Halbbrücken basierenden Leistungstopologie vor.

Varianten der Platine mit der Leistungs-MOSFET-Familie OptiMOS in den D²PAK-, D²PAK-7- und unbedrahteten TO-Gehäusen demonstrieren die Performance der Leistungs-MOSFETs in Bezug auf Parallelisierung und thermisches Verhalten.