AEM Central Semiconductor

600 V UltraMOS™-MOSFETs

Die 600 V UltraMOS-MOSFETs von Central Semiconductor zeichnen sich durch hohe Spannungsfähigkeit mit niedriger Gate-Ladung aus

Bild des 600 V UltraMOS™-MOSFETs von Central SemiconductorDie hocheffizienten Hochspannungs-MOSFETs CDM4-600LR (4 A, DPAK), CDM7-600LR (7 A, DPAK) und CDM22011-600LRFP (11 A, TO-220FP) sind die ersten Komponenten der UltraMOS-Serie von Central Semiconductor für die Minimierung der Gesamtleitungsverluste und die Maximierung der Leistungsdichte. Diese Komponenten sind sowohl in branchenüblichen als auch in kundenspezifischen Gehäusen erhältlich.

Merkmale Anwendungen
  • Hochspannungsfähig
  • Geringe Gate-Aufladung
  • Ultraniedriger RDS(ON)
  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Halbleiterbeleuchtung (SSL)
  • Wechselrichter für alternative Energien

UltraMOS MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MOSFET N-CH 600V 7A DPAKCDM7-600LR TR13 PBFREEMOSFET N-CH 600V 7A DPAK476 - Sofort$1.89Details anzeigen
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FPCDM22011-600LRFP SLMOSFET N-CH 600V 11A TO220FP0 - Sofort$0.92Details anzeigen
Veröffentlicht: 2015-10-06