Isolierte SiC-Gate-Treiber-Chipsätze AHV85003 und AHV85043

Isolierte Gate-Treiber-Chipsätze von Allegro MicroSystems mit Power-Thru-Technologie sind für die Ansteuerung diskreter SiC-FETs in einer Vielzahl von Anwendungen optimiert

Bild der Gate-Treiber-Chipsätze AHV85003 und AHV85043 von Allegro MicroSystemsDie Gate-Treiber-Chipsätze AHV85003 und AHV85043 von Allegro MicroSystems bieten eine hochoptimierte Lösung für die Ansteuerung von diskreten Siliziumkarbid-FETs (SiC) in anspruchsvollen Anwendungen. Sie wurden für Systeme wie On-Board-Ladegeräte (OBCs) für Kraftfahrzeuge, Solarwechselrichter, Industrieroboter, Datenzentren und verschiedene andere Stromversorgungseinheiten entwickelt. Durch die Integration mit einem empfohlenen externen Transformator bietet der Chipsatz ein komplettes, selbstversorgendes und isoliertes Gate-Drive-System. Dieses Design ist vielseitig genug für zahlreiche Anwendungen und Topologien und wird durch eine Reihe von zugelassenen Transformatoren von Drittanbietern unterstützt, die für unterschiedliche Ansteuerspannungen, Gate-Ladungen und Isolationsanforderungen geeignet sind.

Das Design dieses Chipsatzes vereinfacht die Systemarchitektur, da sowohl das PWM-Signal als auch die Gate-Vorspannung über den externen Transformator übertragen werden, wodurch die Notwendigkeit einer zusätzlichen Vorspannungsversorgung oder eines High-Side-Bootstraps vollständig entfällt. Auf der isolierten Sekundärseite wird eine bipolare positive/negative Ausgangsvorspannung erzeugt, die zusätzliche Schaltungen für eine geteilte Versorgungsschiene überflüssig macht und eine wählbare regulierte positive Schiene und eine einstellbare negative Schiene für eine bessere dV/dT-Immunität umfasst. Diese Integration vereinfacht das Design, reduziert die EMI durch geringere Gleichtaktkapazitäten und ermöglicht die Ansteuerung eines potenzialfreien Schalters an beliebiger Stelle, wodurch es sich ideal für Halbbrücken- und Multilevel-Topologien eignet. Der Chipsatz zeichnet sich außerdem durch schnelle Ausbreitungsverzögerungen, einen hohen Spitzen-Quell-/Senkstrom für effizientes Schalten bei hohen Frequenzen, eine hohe Gleichtakt-Transientenimmunität (CMTI) und eine Reihe integrierter Schutzfunktionen aus - und das alles in einem kompakten 4 mm x 4 mm großen QFN-20-Gehäuse.

Merkmale/Funktionen
  • Power-Thru-Chipsatz: integrierte Vorspannungsversorgung
  • Schnittstellen zu externen Transformatoren, die sowohl das PWM-Signal als auch die Bias-Leistung übertragen
  • Kein High-Side-Bootstrap oder externe Bias-Versorgung erforderlich
  • Zulassung gemäß Klasse 1, AEC-Q100
  • Bipolarer Antrieb, wählbare geregelte positive Schiene und konfigurierbare negative Schienen
  • Miller-Klemme (intern)

AHV85003 and AHV85043 Gate-Driver Chipsets

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
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Veröffentlicht: 2025-12-29